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    BYD31523A

    發布時間:2021/9/28 | 20 次閱讀

    BYD31523A_BSO4804導讀

    為公司命名時創始人融入了他們對過去的緬懷、對未來的期望,一個簡單的名字,它的背后承載著許多不為人知的故事……。電子行業中有許多的知名品牌,每一個品牌就如同人名,其來源與命名都帶有各自獨特的風格。它們有今時今日的成功,創始人功不可沒。

    而電動車上上用的功率mos是立體結構。我們所見的mos管,其實內部由成千上萬個小mos管并聯而成,大家可能會想成千上萬個小mos應該很容易出現一個或幾個壞的吧,其實真沒那么容易,目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數高度一致性。小功率mos是平面型結構。


    BYD31523A_BSO4804


    BYH332-X

    勢壘電容:功率半導體中,當N型和P型半導體結合后,由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中,因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區(該空間電荷區形成的電場會阻值擴散運動進行,較終使擴散運動達到平衡);。

    BYC4322 BYM4310 BYM4322 BYM4316 BYC4312 BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

    BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A BYF32018A BYD32011Z BYF32090 BYJ32056 BYP32011A 。

    NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。


    BYD31523A_BSO4804


    BSO604NS2

    NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

    BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018 BYF3104 BYH3108 BYF3109 BYM31032 BYN31333A 。

    MOS管寄生電容結構如下,其中,多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。。

    BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

    BYD31523A_BSO4804


    NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。

    NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。


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